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NR9-3000PY負性光刻膠

三、光刻膠涂覆（Photoresist Coating）

光刻膠涂覆通常的步驟是在涂光刻膠之前，先在900-1100度濕氧化。氧化層可以作為濕法刻蝕或B注入的膜版。作為光刻工藝自身的首先過程，一薄層的對紫外光敏感的有機高分子化合物，即通常所說的光刻膠，要涂在樣品表面(SiO2)。首先光刻膠被從容器中取出滴布到置于涂膠機中的樣品表面，(由真空負壓將樣品固定在樣品臺上)，樣品然后高速旋轉，轉速由膠粘度和希望膠厚度確定。在這樣的高速下，膠在離心力的作用下向邊緣流動。

涂膠工序是圖形轉換工藝中初的也是重要的步驟。涂膠的質量直接影響到所加工器件的缺陷密度。為了保證線寬的重復性和接下去的顯影時間，同一個樣品的膠厚均勻性和不同樣品間的膠厚一致性不應超過±5nm(對于1.5um膠厚為±0.3%)。

光刻膠的目標厚度的確定主要考慮膠自身的化學特性以及所要圖形中線條的及間隙的微細程度。太厚膠會導致邊緣覆蓋或連通、小丘或田亙狀膠貌、使成品率下降。在MEMS中、膠厚(烤后)在0.5-2um之間，而對于特殊微結構制造，膠厚度有時希望1cm量級。在后者，旋轉涂膠將被鑄膠或等離子體膠聚合等方法取代。常規光刻膠涂布工序的優化需要考慮滴膠速度、滴膠量、轉速、環境溫度和濕度等，這些因素的穩定性很重要。

在工藝發展的早期，負膠一直在光刻工藝中占主導地位，隨著VLSI IC和2～5微米圖形尺寸的出現，負膠已不能滿足要求。隨后出現了正膠，但正膠的缺點是粘結能力差。

用正膠需要改變掩膜版的極性，這并不是簡單的圖形翻轉。因為用掩膜版和兩種不同光刻膠結合，在晶園表面光刻得到的尺寸是不一樣的，由于光在圖形周圍的衍射效應，使得用負膠和亮場掩膜版組合在光刻膠層上得到的圖形尺寸要比掩膜版上的圖形尺寸小。用正膠和暗場掩膜版組合會使光刻膠層上的圖形尺寸變大。

光刻膠趨勢

半導體光刻膠領域全球市場規模趨于穩定，負性光刻膠廠家， 2017年全球市場約13.5億美元；國內市場約20.2億元，近5年復合增速達12%。受全球半導體市場復蘇和國內承接產業轉移，負性光刻膠哪里有，預計全球光刻膠市場將保持穩定增速，國內市占率穩步抬升。

光刻膠生產、檢測、評價的設備價格昂貴，需要一定前期資本投入；光刻膠企業通常運營成本較高，下游廠商認證采購時間較長，為在設備、研發和技術服務上取得競爭優勢，需要足夠的中后期資金支持。企業持續發展也需投入較大的資金，光刻膠行業在資金上存在較高的壁壘，國外光刻膠廠商相對于國內廠商，其公司規模更大，具有資金和技術優勢。

總體上，光刻膠行業得到國家層面上的政策支持。《國家集成電路產業發展推進綱要》，提出“研發光刻機、刻蝕機、離子注入機等關鍵設備，開發光刻膠、大尺英寸硅片等關鍵材料”；國家重點支持的高新技術領域（2015）中提到“高分辨率光刻膠及配套化學品作為精細化學品重要組成部分，是重點發展的新材料技術”；光刻技術（包括光刻膠）是《中國制造 2025》重點領域。

提供先進化學技術的多樣化解決方案

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解決方案：高性能的光刻膠、摻雜涂層、平坦化涂層、旋制氧化硅(spin-onglase)。阻擋層(Barrior Layere)、濕法制程

客戶：從財富100強到以風險投資為背景的設備研發及制造公司

使命

目標

提供特殊化學品和全新工藝來增加客戶的產能

策略

提供獨特的產品來優化生產制程，以提高設備能效

領的技術提升生產過程中的整體性價比

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工藝減化

非同尋常的顯微構造、金屬及介電層上的圖形轉換、光刻、平坦化、摻雜、蝕刻、邦定

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